Une équipe de recherche de l’université chinoise de Fudan décrit comment elle a mis au point une cellule de mémoire Flash capable de changer d’état en seulement 400 picosecondes, soit une vitesse d’écriture supérieure à celle des mémoires volatiles les plus rapides. La mémoire Flash utilisée à des fins de stockage rivalisera peut-être bientôt de […]